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新型整平剂TS-L对铜电沉积的影响

丁辛城 , 彭代明 , 陈梓侠 , 程骄

电镀与涂饰

通过极化曲线、电化学阻抗谱、计时电流等电化学测量方法研究了整平剂TS-L对铜电沉积的影响.基础镀液组成为:CuSO4·5H2O 75 g/L,H2SO4 240 g/L,Cl-60 mg/L.结果表明,TS-L会抑制铜的电沉积,有利于得到平整、光亮的镀层.随TS-L用量增大,其抑制作用增强.TS-L的用量为50 mg/L时,铜的电沉积由基础镀液的三维瞬时成核转变为三维连续成核.随TS-L质量浓度的增大,镀液的深镀能力提高.在电镀液中添加50 mg/L整平剂TS-L、10 mg/L光亮剂TS-S和600 mg/L抑制剂TS-W时,深镀能力为87%,铜镀层的延展性和可靠性满足印制线路板行业的应用要求.

关键词: 电镀铜 , 整平剂 , 深镀能力 , 极化 , 电结晶 , 延展性 , 可靠性

复合光亮剂对盲孔填孔电镀铜的影响

肖友军 , 雷克武 , 王义 , 屈慧男 , 陈金明 , 伍小彪

电镀与涂饰

介绍了一种盲孔填孔电镀铜复合光亮剂,该光亮剂由抑制剂C(乙二醇与丙二醇的共聚物)、光亮剂B(N,N-二甲基二硫代羰基丙烷磺酸钠)和整平剂L(含氮杂环混合物)组成.先采用CVS(循环伏安剥离)法分析各添加剂对电镀速率的影响,以确定镀液中各组分有效浓度的分析方法.再通过全因子试验研究抑制剂C、光亮剂B和整平剂L对填孔率的影响.结果表明,光亮剂B和整平剂L用量对盲孔填孔效果的影响较大,抑制剂C的影响较小.在由210 g/L CuS04·5H20、50 g/L H2SO4和50 mg/L氯离子组成的基础镀液中加入0.5 mL/L光亮剂B、10 mL/L整平剂L和15 mL/L抑制剂C时,填孔率大于90%,镀液通电量在200 A·h/L以内可达到良好的填孔效果.镀铜层的延展性和可靠性满足印制线路板(PCB)行业的应用要求.

关键词: 填孔 , 电镀铜 , 抑制剂 , 光亮剂 , 整平剂 , 循环伏安剥离 , 全因子试验

整平剂对酸性电镀硬铜的影响

肖宁 , 邓志江 , 滕艳娜 , 潘金杰 , 张宜初 , 雍兴跃

电镀与涂饰

研究了噻唑啉基二硫代丙烷磺酸钠(SH110)、十六烷基三甲基溴化铵(CTMAB)、聚乙烯亚胺烷基盐(PN)以及四氢噻唑硫酮(H1)4种整平剂对酸性电镀铜层表面形貌和显微硬度的影响.基础镀液组成为:CuSO4·5H2O 220 g/L,H2SO4 55 g/L,Cl-60 mg/L,聚二硫二丙烷磺酸钠(SPS)3 mg/L,聚乙二醇(PEG6000) 100 mg/L.在一定范围内,整平剂的质量浓度越高,镀层表面越光滑、平整,显微硬度越高.选择2g/L H1作为整平剂时,所得镀层的显微硬度可长时间(14d以上)满足电子雕刻的要求(180 ~ 220 HV).H1与其他3种整平剂之间的协同作用的强度顺序为:H1+ SH110> H1+ CTMAB> H1 +PN.

关键词: 电镀硬铜 , 酸性硫酸盐体系 , 整平剂 , 显微硬度 , 表面形貌 , 协同作用

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